Samsung DDR5 SODIMM 8GB DIMM UNB 5600 1Rx16, 1.1V M425R1GB4BB0-CWM
Товара не оказалось в наличии?
Подпишитесь на уведомление о поступлении!
Подпишитесь на уведомление о поступлении!
1cb8b5d7a144e2b9d8702e2a769d18d5
Описание
Оперативная память M425R1GB4BB0-CWM от Samsung
Объем одного модуля (ГБ)
8
manufacturerCountry
Филиппины
Модель
M425R1GB4BB0-CWM
Напряжение (В)
1.1
название
Samsung DDR5 SODIMM 8GB DIMM UNB 5600 1Rx16, 1.1V M425R1GB4BB0-CWM
RAS to CAS Delay (tRCD)
-
Тип оборудования
Оперативная память
gtdNumber
10005030/301123/5031268/002
Тайминги
-
Частота (MHz)
DDR5 - 5600
Поддержка Reg
Нет
Чип
-
Нормальная операционная температура (Tcase)
-
Общий объем памяти (ГБ)
8
Activate to Precharge Delay (tRAS)
-
Габариты (мм)
-
Количество чипов на модуле
-
rusName
[Модуль памяти] Samsung DDR5 SODIMM 8GB DIMM UNB 5600 1Rx16, 1.1V M425R1GB4BB0-CWM
Расширенная операционная температура (Tcase)
-
Потребление энергии
-
Линейка
-
сайт производителя
http://www.samsung.com/
Вес (грамм)
-
Количество модулей в комплекте (шт)
1
Пропускная способность (МБ/с)
44800
Производитель
Samsung
Высота (мм)
-
Поддержка ECC
Нет
гарантия
3 года
Тип модуля
SO-DIMM
Поддержка водяного охлаждения
-
CAS Latency (CL)
-
Радиатор
Нет
Низкопрофильная
Нет
Производитель
Samsung
Количество контактов
262
Подсветка
Нет
Дополнительная информация
-
описание
Оперативная память M425R1GB4BB0-CWM от Samsung
Row Precharge Delay (tRP)
-
Категории: Память для ноутбуков
2014-2025 © Радиостафф - комплексные поставки радиочастотных комплектующих